أعلنت شركتا آي بي إم (IBM) وسامسونغ (Samsung) عن أحدث تقدم لهما في تصميم أشباه الموصلات، وهي طريقة جديدة لتكديس الترانزستورات عموديًا على شريحة (بدلاً من مدها على سطح أشباه الموصلات)، وذلك وفقا لتقرير في موقع ذا فيرج the verge.
وأشارت سامسونغ إلى التعاون مع آي بي إم أثمر عن تطوير تقنية جديدة لصنع شرائح إلكترونية بتقنية 1 نانومتر، وذلك من خلال تثبيت عدد كبير من الترانزستورات بشكل عمودي على الشريحة بدلا من تثبيتها أفقيا لتشغل مساحات أكبر، وقد وصلت التكنولوجيا الحالية لصنع شرائح إلكترونية بتقنية 2 نانومتر كحد أقصى باستخدام تكديس الترانزستورات أفقيا.
وأوضحت سامسونغ أن تقنية في تي فيتس (VTFETs) للنقل العمودي للطاقة سيسمح بتحسن أداء المعالجات بمقدار الضعف تقريبا، كما سيوفر من استهلاك الطاقة بنسبة 85% تقريبا في الأجهزة الإلكترونية مقارنة بتقنية فنفيت (FinFET) المستخدمة في أحدث المعالجات الحالية.
ويرى الخبراء أن التقنية الجديدة ستساعد في تطوير معالجات فائقة الأداء سيمكن استخدامها مستقبلا في الهواتف والحواسيب والأجهزة الذكية التي يمكن أن تستمر أسبوعا دون الحاجة لشحنها، وفي خفض تكلفة تعدين العملات الرقمية وتسريعها، كما أنها تدخل في العديد من الإلكترونيات المستعملة في مجالات النقل والفضاء ومجالات الاتصالات.
وأشارت سامسونغ خلال الحدث التقني الذي خصصته لاستعراض تقنياتها الجديدة إلى “أن النقص العالمي الموجود الآن في مجال أشباه الموصلات الخاصة بالإلكترونيات سلط الضوء على ضرورة الاستثمار والبحث في مجال الشرائح الإلكترونية، وأهمية الشرائح الإلكترونية المتطورة في العديد من المجالات، بما فيها مجالات الإلكترونيات الاستهلاكية والإلكترونيات اللازمة لتوفير الخدمات الحيوية”.
وتجدر الإشارة إلى أن آي بي إم كانت قد أعلنت عن أول شريحة إلكترونية لها مطورة بتقنية 2 نانومتر مطلع العام الجاري، لكن هذه الشريحة كانت تعتمد على تقنية فن فيت المستخدمة في المعالجات الحديثة المتوفرة حاليا.
وليست آي بي إم الشركة الوحيدة التي تتطلع إلى المستقبل في إنتاج الشرائح الإلكترونية. فقد استعرضت إنتل (Intel) تصميم ريبون فيت (RibbonFET) القادم خلال الصيف، وهو خليفة تقنية فن فيت الذي تستخدمه الشركة الأميركية، والتي من المقرر أن تكون جزءًا من جيل إنتل 20 إيه (Intel 20A) من منتجات أشباه الموصلات المقرر أن تبدأ في إنتاجها في عام 2024.
